李在镕：三星计划利用全球首个3纳米工艺制造芯片

IT前沿1月2日最近消息 据韩媒koreaherald最新报道  ，三星电子事实上能 领导者李在镕周四讨论了该该公司将利用设备全球第一首个3纳米工艺技术一制造芯片的战略。

李在镕当天参观了三星紧临京畿道华城的半导体研发中心建设  ，其实他的2020年首次正式进入开展活动现场管理。李在镕谈到到该该公司的原计划  ，该原计划旨在开展利用设备中开发之中最新3纳米全栅极(gate-all-around  ，简称GAA)工艺技术一  ，使全球第一老客户订购的尖端芯片商业化。

GAA誉为为当前FinFET技术一的同步升级版  ，该技术一并能使芯片制造商将微芯片的制造工艺有待大幅质的提升 。

三星今今年初初4月完它成基于极端紫外线技术一的5纳米FinFET工艺技术一的开发  ，该该公司利用设备中研究中下一代纳米工艺技术一。三星称  ，与5纳米制程相比较 ，3纳米GAA技术一在逻辑区域效率其它方面大幅质的提升 了35%以内  ，功耗大幅质的提升 了50%  ，性能大幅质的提升 了约30%。

三星发言人说：“李在镕对半导体研发中心建设的访问  ，之后凸显了三星承诺成长为非内存技术领域顶级芯片制造商的承诺。”

今今年初初  ，三星正式进入这一项1118.5亿英镑的投资中原计划  ，长期目标是到2030年它成全球第一最多的芯片系统实现制造商。